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参数资料
| 型号： | FDP120AN15A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 65W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
October 2013
FDD120AN15A0
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
150 V, 14 A, 120 m Ω
Features
? R DS(on) = 101 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 4 A
? Q G (tot) = 11.2 nC ( Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
? Consumer Appliances
? LED TV
? Synchronous Rectification
? Uninterruptible Power Supply
? Micro Solar Inverter
Formerly developmental type 82 845
D
D
G
S
D-PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
FDD120AN15A0
150
± 20
Unit
V
V
Drain Current
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V)
14
A
C
I D
E AS
P D
T J , T STG
Continuous (T C = 100 o C, V GS = 10V)
Continuous (T amb = 25 o C, V GS = 10V) with R θ JA = 52 o C/W
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
9.7
2.8
Figure 4
122
65
0.43
-55 to 175
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
2.31
o C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient, 1in copper pad area, Max.
R θJA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.
2
100
52
o
o
C/W
C/W
? 20 02 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD120AN15A0 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP120N10 | MOSFET N-CH 100V 74A TO-220 |
| FDP12N50NZ | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220 |
| FDP12N60NZ | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 |
| FDP13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB |
| FDP150N10A | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP120N10 | 功能描述:MOSFET N Chan 100V 12Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP12N35 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:350V N-Channel MOSFET |
| FDP12N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP12N50_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65?? |
| FDP12N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ |
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