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参数资料
型号： FDP120AN15A0
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 9/12页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB
标准包装： 400
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 14A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 120 毫欧 @ 4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 14.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 770pF @ 25V
功率 - 最大： 65W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220AB
包装： 管件
SABER Electrical Model
REV July 2002
template FDD120AN15A0 n2,n1,n3
electrical n2,n1,n3
{
var i iscl
dp..model dbodymod = (isl=4e-12,nl=1.07,rs=6.5e-3,trs1=3.0e-3,trs2=1.5e-6,cjo=5.5e-10,m=0.65,tt=5e-8,xti=4.2)
dp..model dbreakmod = (rs=0.5,trs1=1e-3,trs2=-1e-6)
dp..model dplcapmod = (cjo=1.56e-10,isl=10.0e-30,nl=10,m=0.62)
m..model mmedmod = (type=_n,vto=3.6,kp=1.8,is=1e-30, tox=1)
m..model mstrongmod = (type=_n,vto=4.4,kp=30,is=1e-30, tox=1)
DPLCAP
RSLC2
m..model mweakmod = (type=_n,vto=3.14,kp=0.02,is=1e-30, tox=1,rs=0.1)
sw_vcsp..model s1amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-6.0,voff=-4.0)
sw_vcsp..model s1bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-4.0,voff=-6.0)
sw_vcsp..model s2amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-2.5,voff=-0.5) 10
sw_vcsp..model s2bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-0.5,voff=-2.5)
c.ca n12 n8 = 2.5e-10
c.cb n15 n14 = 2.5e-10
c.cin n6 n8 = 7.5e-10
5
RSLC1
51
ISCL
LDRAIN
RLDRAIN
DRAIN
2
GATE
9
20
13
50
11
21
MMED
+
8
dp.dbody n7 n5 = model=dbodymod
dp.dbreak n5 n11 = model=dbreakmod
dp.dplcap n10 n5 = model=dplcapmod
spe.ebreak n11 n7 n17 n18 = 162
spe.eds n14 n8 n5 n8 = 1 1
spe.egs n13 n8 n6 n8 = 1
spe.esg n6 n10 n6 n8 = 1
spe.evthres n6 n21 n19 n8 = 1
spe.evtemp n20 n6 n18 n22 = 1
i.it n8 n17 = 1
l.lgate n1 n9 = 3e-9
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
S1A
1 2
8
6
8
EVTHRES
+ 19 -
8
6
CIN
S2A
14 15
13
RDRAIN
16
MSTRO 17
DBREAK
MWEAK
EBREAK
18
-
7
RSOURCE
RBREAK
17
DBODY
LSOURCE
RLSOURCE
18
SOURCE
3
l.ldrain n2 n5 = 1.0e-9
l.lsource n3 n7 = 2e-9
CA
res.rlgate n1 n9 = 30
res.rldrain n2 n5 = 10
res.rlsource n3 n7 = 20
m.mmed n16 n6 n8 n8 = model=mmedmod, l=1u, w=1u
S1B
13
+
EGS
-
6
8
S2B
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
IT
RVTHRES
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
m.mstrong n16 n6 n8 n8 = model=mstrongmod, l=1u, w=1u
m.mweak n16 n21 n8 n8 = model=mweakmod, l=1u, w=1u
res.rbreak n17 n18 = 1, tc1=1.1e-3,tc2=-1e-6
res.rdrain n50 n16 = 6.55e-2, tc1=8.5e-3,tc2=2.5e-5
res.rgate n9 n20 = 3.6
res.rslc1 n5 n51 = 1.0e-6, tc1=3.4e-3,tc2=1.5e-6
res.rslc2 n5 n50 = 1.0e3
res.rsource n8 n7 = 2.8e-2, tc1=4.1e-3,tc2=1e-6
res.rvthres n22 n8 = 1, tc1=-3.6e-3,tc2=-1.4e-5
res.rvtemp n18 n19 = 1, tc1=-4.1e-3,tc2=1.5e-6
sw_vcsp.s1a n6 n12 n13 n8 = model=s1amod
sw_vcsp.s1b n13 n12 n13 n8 = model=s1bmod
sw_vcsp.s2a n6 n15 n14 n13 = model=s2amod
sw_vcsp.s2b n13 n15 n14 n13 = model=s2bmod
v.vbat n22 n19 = dc=1
equations {
i (n51->n50) +=iscl
iscl: v(n51,n50) = ((v(n5,n51)/(1e-9+abs(v(n5,n51))))*((abs(v(n5,n51)*1e6/25))** 3))
}
? 20 02 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD120AN15A0 Rev. C2
9
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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