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参数资料
型号： FDP120AN15A0
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 8/12页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB
标准包装： 400
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 14A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 120 毫欧 @ 4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 14.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 770pF @ 25V
功率 - 最大： 65W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220AB
包装： 管件
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDD120AN15A0 2 1 3 ;
Ca 12 8 2.5e-10
rev July 2002
9
20
13
ESLC
21
Cb 15 14 2.5e-10
Cin 6 8 7.5e-10
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 162
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 3e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 2e-9
RLgate 1 9 30
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 20
GATE
1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
S1A
1 2
8
6
8
DPLCAP
10
RSLC2
EVTHRES
+ 19 -
8
6
CIN
S2A
14 15
13
5
RSLC1
51
5
51
50
RDRAIN
16
MMED
MSTRO
8
DBREAK
11
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
7
RSOURCE
RBREAK
17
LDRAIN
RLDRAIN
DBODY
LSOURCE
RLSOURCE
18
DRAIN
2
SOURCE
3
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 6.55e-2
Rgate 9 20 3.6
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1.0e-6
CA
S1B
13
+
EGS
-
6
8
S2B
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
IT
RVTHRES
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
RSLC2 5 50 1.0e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 2.8e-2
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*25),3))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=4E-12 N=1.07 RS=6.5e-3 TRS1=3.0e-3 TRS2=1.5e-6
+ CJO=5.5e-10 M=0.65 TT=5e-8 XTI=4.2)
.MODEL DbreakMOD D (RS=0.5 TRS1=1e-3 TRS2=-1e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=1.56e-10 IS=1.0e-30 N=10 M=0.62)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.6 KP=1.8 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=3.6)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.4 KP=30 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=3.14 KP=0.02 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=36 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.1e-3 TC2=-1e-6)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=8.5e-3 TC2=2.5e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=3.4e-3 TC2=1.5e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=4.1e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-3.6e-3 TC2=-1.4e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-4.1e-3 TC2=1.5e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-6.0 VOFF=-4.0)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4.0 VOFF=-6.0)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2.5 VOFF=-0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=-2.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
? 20 02 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD120AN15A0 Rev. C2
8
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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