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参数资料
| 型号： | FDP120AN15A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 65W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
V GS
R G
+
-
V DD
I AS
V DD
DUT
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
V DS
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
V DD
Q g(TOT)
L
V DS
V GS
V GS = 10V
I g(REF)
V GS
DUT
+
-
V DD
V GS = 2V
0
Q gs2
Q g(TH)
Q gs
Q gd
I g(REF)
0
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
V DS
t ON
t d(ON)
t OFF
t d(OFF)
R L
V DS
90%
t r
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
V GS
10%
0
50%
PULSE WIDTH
50%
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
? 20 02 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD120AN15A0 Rev. C2
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP120N10 | MOSFET N-CH 100V 74A TO-220 |
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| FDP150N10A | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP120N10 | 功能描述:MOSFET N Chan 100V 12Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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