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参数资料
| 型号： | FDP083N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 105A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.3 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 84nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 231W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
175 C
500
V GS = 10.0V
8.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
300
100
o
25 C
-55 C
100
o
10
o
2. T C = 25 C
10
0.1
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
1
2
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
3 4 5
6
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
14
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
12
100
175 C
25 C
10
8
6
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
*Notes:
*Note: T C = 25 C
4
0
100 200 300 400
o
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0
1.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
10000
C iss
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
1000
C oss
8
6
V DS = 30V
V DS = 75V
V DS = 120V
C rss
4
100
*Note:
1. V GS = 0V
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
2
50
0.1
2. f = 1MHz
Crss = Cgd
1 10
30
0
0
*Note: I D = 75A
14 28 42 56
70
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP083N15A Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP085N10A | MOSFET N-CH 100V TO-220-3 |
| FDP090N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 |
| FDP100N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 |
| FDP10N60NZ | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 |
| FDP120AN15A0 | MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP083N15A_F102 | 功能描述:MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP085N10A | 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| FDP085N10A_F102 | 功能描述:MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP085N10AF102 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100 V, 96 A, 8.5 m?? |
| FDP085N10A-F102 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100 V, 96 A, 8.5 m?? |
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