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参数资料
型号： FDP070AN06A0
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 4/12页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
产品培训模块： High Voltage Switches for Power Processing
标准包装： 400
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 7 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 66nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 3000pF @ 25V
功率 - 最大： 175W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220AB
包装： 管件
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1000
500
If R = 0
100
10 μ s
100 μ s
100
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1]
1ms
10
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
10ms
STARTING T J = 25 o C
LIMITED BY r DS(ON)
10
DC
1
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
T C = 25 o C
1
STARTING T J = 150 o C
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515
Figure 6. Unclamped Inductive Switching
Capability
160
PULSE DURATION = 80 μ s
160
120
80
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DD = 15V
120
80
V GS = 10V
V GS = 7V
V GS = 6V
40
T J = 25 o C
40
T C = 25 o C
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
T J = 175 o C
T J =
-55 o C
V GS = 5V
0
4.0
4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
7.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
16
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Transfer Characteristics
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Saturation Characteristics
2.5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
14
2.0
12
V GS = 6V
1.5
10
1.0
8
V GS = 10V
V GS = 10V, I D =80A
6
0.5
0
20
40
6 0
80
-80
-40
0 40 80 120
160
200
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 9. Drain to Source On Resistance vs Drain
Current
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 10. Normalized Drain to Source On
Resistance vs Junction Temperature
? 200 3 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB070AN06A0 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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FDP075N15A_F102 功能描述:MOSFET 150V NChan PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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