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参数资料
| 型号： | FDP050AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 245W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
October 2013
FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
60 V, 80 A, 5 m Ω
Features
? R DS(on) = 4.3 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 80 A
? Q G(tot) = 61 nC ( Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
Applications
? Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PS U
? Battery Protection Circui t
? Motor drives and Uninterruptible Power Supplie s
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82 5 75
D
D
GD
S
TO-220
G
S
D 2 -PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
C
Symbol
V DSS
V GS
I D
E AS
P D
T J , T STG
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T C < 135 o C, V GS = 10V)
Continuous (T A = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 43 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
FDP050AN06A0
FDB050AN06A0
60
± 20
80
18
Figure 4
470
245
1.63
-55 to 175
U nit
V
V
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
C/W
C/W
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case, Max. TO-220, D 2 -PAK
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. TO-220, D 2 -PAK (Note 2)
Thermal Resistance Junction to Ambient D 2 -PAK , Max. 1in 2 copper pad area
0 .61
62
43
o C/W
o
o
? 200 3 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 Rev. C 2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP050AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP050AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP053N08B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 80V, 120A, 5.3mW |
| FDP053N08B_F102 | 功能描述:MOSFET Smart Power Module RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP054N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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