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参数资料
| 型号： | FDP050AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 245W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDB050AN06A0 2 1 3 ; rev February 2003
Ca 12 8 1.5e-9
Cb 15 14 1.5e-9
LDRAIN
Cin 6 8 3.75e-9
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
DPLCAP
10
RSLC2
5
RSLC1
51
DBREAK
RLDRAIN
DRAIN
2
Ebreak 11 7 17 18 64.8
5
51
ESLC
11
9
20
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
GATE
1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
6
8
6
EVTHRES
+ 19 -
8
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
DBODY
Lgate 1 9 4.7e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 4.03e-9
CIN
8
RSOURCE
7
LSOURCE
SOURCE
3
RLSOURCE
RLgate 1 9 47
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 40
12
S1A
13
8
S2A
14
13
15
17
RBREAK
18
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
CA
S1B
13
+
EGS
6
8
S2B
CB
+
EDS
5
8
14
IT
RVTEMP
19
-
VBAT
+
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 1.1e-3
-
-
8
22
Rgate 9 20 1.3
RVTHRES
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 2.1e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*250),10))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=1.3E-11 N=1.04 RS=1.76e-3 TRS1=2.7e-3 TRS2=2e-7
+ CJO=2.7e-9 M=5.4e-1 TT=1e-10 XTI=3.9)
.MODEL DbreakMOD D (RS=8e-1 TRS1=5e-4 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=1.3e-9 IS=1e-30 N=10 M=0.45)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.7 KP=9 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=1.3)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.29 KP=155 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=3.05 KP=0.03 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=13 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=9.3e-4 TC2=-5.5e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1.3e-2 TC2=4e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-5)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-5.8e-3 TC2=-1.4e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-2.8e-3 TC2=1e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-2)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2 VOFF=-4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.5 VOFF=0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.5 VOFF=-1.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
? 200 3 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 Rev. C 2
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP050AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP050AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP053N08B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 80V, 120A, 5.3mW |
| FDP053N08B_F102 | 功能描述:MOSFET Smart Power Module RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP054N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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