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参数资料
| 型号： | FDP060AN08A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 255W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1000
100
10 μ s
100 μ s
500
100
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1 ]
1ms
10
1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(ON)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
T C = 25 o C
DC
10ms
10
STARTING T J = 150 o C
STARTING T J = 25 o C
0.1
1
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
100
1
0.01
0.1 1 10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
100
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515
Figure 6. Unclamped Inductive Switching
Capability
175
150
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DD = 15V
175
150
V GS = 10 V
V GS = 7V
V GS = 6V
125
125
100
75
T J = 175 o C
100
75
V GS = 5V
50
25
T J = 25 o C
T J = -55 o C
50
25
T C = 25 o C
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
3.5
4.0 4.5 5.0 5.5
6.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Transfer Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Saturation Characteristics
7.5
7.0
6.5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 6V
2.5
2.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
6.0
1.5
5.5
5.0
4.5
V GS = 10V
1.0
4.0
0
2 0
40
I D , DRAIN CURRENT (A)
60
80
0.5
-80
-40
V GS = 10V, I D = 80A
0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
200
Figure 9. Drain to Source On Resistance vs Drain
Current
Figure 10. Normalized Drain to Source On
Resistance vs Junction Temperature
? 200 3 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP060AN08A0 / FDB060AN08A0 Rev. C 4
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP070AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB |
| FDP083N15A | MOSFET N-CH 150V TO-220-3 |
| FDP085N10A | MOSFET N-CH 100V TO-220-3 |
| FDP090N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 |
| FDP100N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP060AN08A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 75V, 80A TO-220AB |
| FDP060AN08A0_Q | 功能描述:MOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP070AN06A0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP075N15A | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| FDP075N15A_F102 | 功能描述:MOSFET 150V NChan PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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