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参数资料
型号： FDP085N10A
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 5/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 100V TO-220-3
标准包装： 50
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 96A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 8.5 毫欧 @ 96A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 2695pF @ 50V
功率 - 最大： 188W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220-3
包装： 管件
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.2
P DM
0.1
0.1
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.8 C/W Max.
0.05
0.02
*Notes:
o
0.01
0.01
Single pulse
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
0.005 -5
10
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
1
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP085N10A Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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