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参数资料
型号： FDP085N10A
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 7/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 100V TO-220-3
标准包装： 50
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 96A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 8.5 毫欧 @ 96A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 2695pF @ 50V
功率 - 最大： 188W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220-3
包装： 管件
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 17. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP085N10A Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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