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参数资料
| 型号： | FDP100N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 208W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
-55 C
25 C
500
100
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
1000
100
10
o
o
o
10
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
*Notes:
1. V DS = 20V
2. T C = 25 C
5
0.1
o
1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
5
1
2
4
2. 250 μ s Pulse Test
6 8 10
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
12
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.020
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
1000
0.015
100
150 C
0.010
V GS = 10V
o
25 C
V GS = 20V
10
o
0.005
*Notes:
*Note: T J = 25 C
0.000
0
50
100 150 200 250 300
o
350
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
8000
6000
4000
C iss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
10
8
6
V DS = 80V
V DS = 50V
V DS = 25V
C oss
4
2000
C rss
2
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
15
*Note: I D = 75A
30 45 60 75
Q g , Total Gate Charge [nC]
90
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP100N10 Rev. C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDP10N60NZ | 功能描述:MOSFET 600N-Channel MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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