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参数资料
| 型号： | FDP100N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 208W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.0
-100
2. I D = 75A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
500
100
100 μ s
10
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
100
80
60
40
T J = MAX RATED
R θ Jc = 0.72 o C/W
Tc = 25 o C
T C , Case Temperature [ C ]
1
0.1
0.1
SINGLE PULSE
1 10 100 400
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
1 ms
10 ms
100 ms
DC
20
0
25
50
75 100 125 150
o
175
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
P DM
1. Z θ JC (t) = 0.72 C/W Max.
0.01
0.02
0.01
Single pulse
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
0
1 ,
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP100N10 Rev. C3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP100N10_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 75A, 10m?? |
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| FDP10G | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
| FDP10N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 9A, 0.85Ω |
| FDP10N60NZ | 功能描述:MOSFET 600N-Channel MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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