参数资料
型号: FDP10N60NZ
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 4/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
标准包装: 50
系列: UniFET-II™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 750 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1475pF @ 25V
功率 - 最大: 185W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.15
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.75
2.5
1.10
2.0
1.05
1.5
1.00
1.0
0.95
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 5A
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
-100
-50 0 50 100
o
150
0.25
-100
-50 0 50 100
o
150
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
- FDP10N60NZ
100
Figure 10. Maximum Safe Operating Area
- FDPF10N60NZ
100
10
30 μ s
100 μ s
10
30 μ s
100 μ s
1. T C = 25 C
1. T C = 25 C
1
0.1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
o
1ms
10ms
DC
1
0.1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
o
1ms
10ms
DC
2. T J = 150 C
2. T J = 150 C
o
o
0.01
0.1
3. Single Pulse
1 10 100 1000 3000
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100 1000 3000
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 11. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
10
8
6
4
2
T C , Case Temperature [ C ]
0
25
50 75 100 125
o
150
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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