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参数资料
| 型号： | FDP10N60NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1475pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 185W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Mechanical Dimensions
Figure 18. TO-220, Molded, 3-Lead, Jedec Variation AB
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?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ Rev. C1
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP120AN15A0 | MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB |
| FDP120N10 | MOSFET N-CH 100V 74A TO-220 |
| FDP12N50NZ | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220 |
| FDP12N60NZ | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 |
| FDP13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP10N60ZU | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 9A, 0.8Ω |
| FDP10T | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
| FDP-10-T | 功能描述:集管和线壳 10 pos. DIP Plug .100 x .300 RoHS:否 产品种类:1.0MM Rectangular Connectors 产品类型:Headers - Pin Strip 系列:DF50 触点类型:Pin (Male) 节距:1 mm 位置/触点数量:16 排数:1 安装风格:SMD/SMT 安装角:Right 端接类型:Solder 外壳材料:Liquid Crystal Polymer (LCP) 触点材料:Brass 触点电镀:Gold 制造商:Hirose Connector |
| FDP11N50 | 功能描述:MOSFET 11a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP120AN15A0 | 功能描述:MOSFET 150V 14a 0.120 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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