型号: | FDP12N60NZ |
厂商: | Fairchild Semiconductor |
文件页数: | 3/10页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 |
标准包装: | 50 |
系列: | UniFET-II™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 600V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 650 毫欧 @ 6A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1676pF @ 25V |
功率 - 最大: | 240W |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
供应商设备封装: | TO-220 |
包装: | 管件 |