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参数资料
| 型号： | FDP12N60NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 650 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1676pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 240W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
* Notes :
1. V GS = 0V
2. I D = 250uA
0.5
* Notes :
1. V GS = 10V
2. I D = 6A
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-80
-40 0 40 80 120
o
160
0
-80
-40 0 40 80 120
o
160
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
- FDPF12N60NZ
100
30 μ s
100 μ s
Figure 10. Maximum Safe Operating Area
- FDP12N60NZ
100
10 μ s
100 μ s
10
1ms
10ms
10
1ms
10ms
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
1. T C = 25 C
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
2. T J = 150 C
0.1
* Notes :
o
o
0.1
* Notes :
o
o
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
1000
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
1000
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 11. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
15
12
9
6
3
V DS , Drain-Source Voltage [V]
T C , Case Temperature [ C ]
0
25
50 75 100 125
o
150
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB |
| FDP150N10A | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 |
| FDP150N10 | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220 |
| FDP15N40 | MOSFET N-CH 400V 15A TO-220 |
| FDP16AN08A0 | MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP13AN06A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз |
| FDP13AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 62a 0.0135 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP13AN06A0_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDP13N40 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP13N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 12A, 0.54ヘ |
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