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参数资料
| 型号： | FDP19N40 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 19A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2115pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 215W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
40
10
V GS = 15.0V
10.0V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
50
150 C
-55 C
25 C
1
6.0 V
5.5 V
10
o
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.03
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
0.1 1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
10
1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
8
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.40
0.35
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
80
150 C
25 C
0.30
V GS = 10V
10
o
o
0.25
V GS = 20V
0.20
*Notes:
*Note: T J = 25 C
0.15
0
10
20 30 40
o
50
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 1.0
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
3500
3000
2500
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
1. V GS = 0V
10
8
V DS = 100V
V DS = 200V
V DS = 320V
2000
1500
C iss
C oss
2. f = 1MHz
6
4
1000
2
500
C rss
0
0.1
1 10
30
0
0
5
*Note: I D = 19A
10 15 20 25 30
35
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP19N40 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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