- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375779 > FDP2570 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 150V N-Channel PowerTrench MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDP2570 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 22 A, 150 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | FDP2570 |
FDP2570/FDB2570 Rev C(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
6
12
18
24
30
36
42
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 11A
V
DS
= 25V
75V
50V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 1.6
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
100us
10us
0
500
1000
1500
2000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 1.6°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JC
R
θ
JC
= 1.6 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JC
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB2570 | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP2572 | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
| FDP2572 | STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLOGY |
| FDB2572 | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
| FDP2614 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP2570_Q | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 150V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2572 | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 150V 29A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 150V, 29A, TO-220AB |
| FDP2572_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 150V, 29A, 54m?? |
| FDP2572_Q | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 150V 29A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。