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参数资料
| 型号： | FDP75N08_0606 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 75V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 75V的N沟道MOSFET |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 684K |
| 代理商： | FDP75N08_0606 |
3
www.fairchildsemi.com
FDP75N08 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
0
10
1
10
1
10
2
V
Top: 15.0V
9.0V
7.5V
7.0V
6.5v
6.0V
5.5V
5.0V
Bottom : 4.5V
* Note :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
=25
0
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
I
D
,
2
4
6
8
10
1
10
100
* Note :
1. V
DS
=40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
0
C
25
0
C
150
0
C
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.007
0.008
0.009
0.010
0.011
0.012
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
* Note : T
J
= 25
o
C
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
V
DS
, Source-Drain Violtage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0
10
1
10
2
25
0
C
150
0
C
* Note :
1. V
GS
=0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
* Note :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 37.5V
V
DS
= 60V
* Note : I
D
= 75A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP75N08A | 75V N-Channel MOSFET |
| FDP75N08 | 75V N-Channel MOSFET |
| FDP79N15_07 | 150V N-Channel MOSFET |
| FDP79N15 | 150V N-Channel MOSFET |
| FDPF79N15 | 150V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP75N08A | 功能描述:MOSFET 75V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP79N15 | 功能描述:MOSFET 150V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP79N15_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FDP7N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP7N50_0704 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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