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参数资料
| 型号： | FDP8440 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 450nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24740pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 306W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
April 2013
FDP8440
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
40 V, 277 A, 2.2 m Ω
Features
? R DS(on) = 1.64 m Ω ( Typ.)@ V GS = 10 V, I D = 80 A
? Q g(tot) = 345 nC (Typ.)@ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
? Power Tools
? Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies
? Synchronous Rectification
? Battery Protection Circuit
? RoHS Compliant
D
G
D S
TO-220
G
S
MOSFET Maximum Ratings
T C = 25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
FDP8440
40
±20
Unit
V
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25 o C, Silicon Limited)
- Continuous (T C = 100 o C, Silicon Limited)
- Continuous (T C = 25 o C, Package Limited)
277*
196*
100
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
500
A
E AS
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
1682
mJ
P D
Power Dissipation
(T C = 25 o C)
- Derate above 25 o C
306
2.04
W
W/ o C
T J, T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
-55 to +175
300
o
o
C
C
*Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package limitation current is 100A.
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
0.49
o
C/W
R θ CS
Thermal Resistance, Case to Sink (Typ.)
0.5
o C/W
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.
62.5
o
C/W
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP8440 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8441 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8441_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8442 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8442_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 80A, 3.1m?? |
| FDP8442_F085 | 功能描述:MOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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