- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录424 > FDP8447L (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 12A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDP8447L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 12A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
May 2007
FDP8447L
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
40V, 50A, 8.7m ?
Features
Max r DS(on) = 8.7m ? at V GS = 10V, I D = 14A
Max r DS(on) = 11.2m ? at V GS = 4.5V, I D = 11A
Fast Switching
tm
General Description
This N-Channel MOSFET has been produced using Fairchild
Semiconductor’s proprietary PowerTrench technology to deliver
low r DS(on) and optimized BV DSS capability to offer superior
performance benefit in the application.
RoHS Compliant
Applications
Inverter
Power Supplies
D
G
G
D
S
TO-220
FDP Series
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25°C
Ratings
40
±20
50
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1)
65
12
A
-Pulsed
100
E AS
Drain-Source Avalanche Energy
(Note 3)
153
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1)
60
2
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
2.1
62.5
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDP8447L
Device
FDP8447L
Package
TO-220AB
Reel Size
Tube
Tape Width
N/A
Quantity
50units
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP8447L Rev.B
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP8860 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB |
| FDP8870_F085 | MOSFET N-CH 30V 156A TO-220 |
| FDP8874 | MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB |
| FDP8876 | MOSFET N-CH 30V 70A TO-220 |
| FDP8880 | MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8447L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process |
| FDP8860 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8870_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDP8870_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 156A, 4.1mW |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。