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参数资料
| 型号： | FDP8880 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 54A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.6 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1240pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FDP8880-ND FDP8880FS |
0
May 200 8
FDP8880 / FDB8880
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
30V, 54A, 11.6m ?
tm M
Features
r DS(ON) = 14.5m ? , V GS = 4.5V, I D = 40A
r DS(ON) = 11.6m ? , V GS = 10V, I D = 40A
High performance trench technology for extremely low
r DS(ON)
Low gate charge
High power and current handling capability
RoHS Complicant
DRAIN
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
r DS(ON) and fast switching speed.
Application
DC / DC Conver ter s
GATE
(FLANGE)
(FLANGE)
DRAIN
SOURCE
D
DRAIN
SOURCE
TO-263AB
FDB SERIES
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP8880 / FDB8880 Rev. A 1
1
TO-220AB
FDP SERIES
GATE
G
S
www.fairchildsemicom
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP8896 | MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB |
| FDP8N50NZ | MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3 |
| FDPC8011S | MOSF DL N CH ASYM 25V PWR CLIP33 |
| FDPF045N10A | MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3 |
| FDPF085N10A | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8880_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDP8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8896_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 92A, 5.9mヘ |
| FDP8896_F085 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET. (Transferred to alternate site. Please contact local reps fo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8N50NZ | 功能描述:MOSFET UNIFET2 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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