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参数资料
| 型号： | FDP8447L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 12A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
10000
8
6
4
2
I D = 14A
V DD = 10V
V DD = 20V
V DD = 30V
1000
100
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
V GS = 0V
0
10
0
10
20
30
40
0.1
1
10
40
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
10
T J = 25 o C
80
60
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10V
Limited by Package
T J =
125 o C
20
V GS = 4.5V
R θ JC = 2.1 C/W
o
1
0.01
0.1
1
10
100 300
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
300
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
1000
100
10
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
100us
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JC = 2.1 o C/W
T C = 25 o C
1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JC = 2.1 o C/W
1ms
10ms
100ms
100
T C = 25 o C
10
10
10
10
10
10
0.1
0.1
1
10
100
50
-4
-3
-2
-1
0
1
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP8447L Rev.B
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8447L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process |
| FDP8860 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8870_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDP8870_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 156A, 4.1mW |
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