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参数资料
| 型号： | FDP8447L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 12A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
100
3.0
80
V GS = 10V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
2.5
V GS = 3V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
60
40
20
0
V GS = 4.5V
V GS = 4V
V GS = 3.5V
V GS = 3V
2.0
1.5
1.0
0.5
V GS = 3.5V
V GS = 4V
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0
1
2
3
4
0
20
40
60
80
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.8
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
20
1.6
I D = 14A
V GS = 10V
I D = 7A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
16
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
12
8
4
T J = 125 o C
T J = 25 o C
-50
-25
0 25 50 75 100 125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
100
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
80
V DS = 5V
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0V
10
60
40
T J = 25 o C
1
0.1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
20
T J = 125 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
0.001
1
2
3
4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP8447L Rev.B
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8447L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process |
| FDP8860 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8870_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDP8870_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 156A, 4.1mW |
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