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参数资料
型号： FDP8440
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
产品目录绘图： MOSFET TO-220 Pkg
标准包装： 50
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 2.2 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 450nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 24740pF @ 25V
功率 - 最大： 306W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220
包装： 管件
产品目录页面： 1607 (CN2011-ZH PDF)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDP8440
Device
FDP8440
Package
TO-220
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
50units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
Drain to Source Breakdown Voltage
V GS = 0V, I D = 250 μ A
40
--
--
V
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Body Leakage Current
V DS = 32V
V GS = 0V
V GS = ±20V
T C =
150 o C
--
--
--
--
--
--
1
250
±100
μ A
μ A
nA
On Characteristics
V GS(th)
Gate to Source Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
1
--
3
V
V GS = 4.5V, I D = 80A
--
1.88
2.4
R DS(on)
Static Drain-Source On-Resistance
V GS = 10V, I D = 80A
--
1.64
2.2
m Ω
V GS = 10V, I D = 80A,
T C = 175 o C
--
3.00
4.4
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
--
18600
24740
pF
C oss
C rss
R G
Q g(tot)
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge at 10V
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V GS = 0.5V, f = 1MHz
V GS = 0V to 10V
--
--
--
--
1840
1400
1.1
345
2450
2100
--
450
pF
pF
Ω
nC
Q g(2)
Q gs
Q gs2
Q gd
Threshold Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate Charge Threshold to Plateau
Gate to Drain “Miller” Charge
V GS = 0V to 2V
V DD = 20V
I D = 80A
I g = 1.0mA
--
--
--
--
32.5
49
16.5
74
--
--
--
--
nC
nC
nC
nC
Switching Characteristics
(V GS = 10V)
t ON
Turn-On Time
--
175
360
ns
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t OFF
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 20V,I D = 80A
V GS = 10V, R GEN = 7 Ω
--
--
--
--
--
43
130
435
290
730
95
275
875
590
1470
ns
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
V SD
t rr
Q RR
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I SD = 80A
I SD = 40A
I SD = 75A, dI SD /dt = 100A/ μ s
I SD = 75A, dI SD /dt = 100A/ μ s
--
--
--
--
--
--
59
77
1.25
1.0
--
--
V
V
ns
nC
NOTES:
1: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2: Starting T J = 25 ° C, L = 1mH, I AS = 58A, V DD = 36V, V GS = 10V.
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP8440 Rev. C2
2
www.fairchildsemi.com
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参数描述
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