- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录424 > FDP8441 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDP8441 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 280nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
I D
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current Continuous ( T C < 160 o C, V GS = 10V)
Continuous ( T amb = 25 o C, V GS = 10 V, with R θ JA = 62 o C/W)
Pulsed
Ratings
40
±20
80
23
See Figure 4
Units
V
V
A
E AS
P D
T J , T STG
Single Pulse Avalanche Energy
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
(Note 1)
947
300
2
-55 to 175
mJ
W
W/ o C
o C
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance Junction to Case
0.5
o
C/W
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Ambient
(Note 2)
62
o C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDP8441
Device
FDP8441
Package
TO-220AB
Reel Size
Tube
Tape Width
N/A
Quantity
50 units
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
B VDSS
Drain to Source Breakdown Voltage
I D = 250 μ A, V GS = 0V
40
-
-
V
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
V DS = 32V
V GS = 0V
V GS = ±20V
T J = 150°C
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
μ A
nA
On Characteristics
V GS(th)
r DS( on)
Gate to Source Threshold Voltage
Drain to Source On Resistance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
I D = 80A, V GS = 10V
I D = 80A, V GS = 10V,
T J = 175°C
2
-
-
2.8
2.1
3.6
4
2.7
4.7
V
m ?
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R G
Q g(TOT)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge at 10V
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1MHz
V GS = 0.5V, f = 1MHz
V GS = 0 to 10V
-
-
-
-
-
15000
1250
685
1.1
215
-
-
-
-
280
pF
pF
pF
?
nC
Q g(TH)
Q gs
Q gs2
Q gd
Threshold Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate Charge Threshold to Plateau
Gate to Drain “Miller” Charge
V GS = 0 to 2V
V DD = 20V
I D = 35A
I g = 1mA
-
-
-
-
29
60
32
49
38
-
-
-
nC
nC
nC
nC
FDP8441 Rev. C0
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP8443_F085 | MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3 |
| FDP8447L | MOSFET N-CH 40V 12A TO-220 |
| FDP8860 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB |
| FDP8870_F085 | MOSFET N-CH 30V 156A TO-220 |
| FDP8874 | MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8441_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8442 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8442_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 80A, 3.1m?? |
| FDP8442_F085 | 功能描述:MOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8443 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。