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参数资料
| 型号： | FDPF13N50FT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 540 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1930pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
30 V GS = 15.0 V
10
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
50
10
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
o
25 C
o
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 C
1
1
o
10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
20
1
3
4
5 6 7
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
8
150 C
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.9
0.8
0.7
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
o
25 C
0.6
0.5
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
*Note: T J = 25 C
0.4
0.3
0
10 20 30
I D , Drain Current [A]
o
40
1
0.0
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0 1.5 2.0
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
2.5
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
3000
C oss
C iss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
10
8
6
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
1500
4
C rss
2
0
0.1
1 10
30
0
0
5
*Note: I D = 13A
10 15 20 25
30
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF13N50FT Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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