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参数资料
| 型号： | FDPF15N65YDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 440 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3095pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
* Notes : = 10 V
1. 2. I GS = 5.5 A
2. I D = 7.5 A
0.9
* Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
* Notes :
1. V GS
V = 10 V
D
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0 0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
Junction Temperature o C]
T T J J , , Junction Temperature [ [ C]
o
Figure 9. Safe Operating Area
o
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
18
2
15
10 μ s
10
1
100 μ s
1 ms
12
10
0
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10 ms
100 ms
DC
9
6
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
-1
* Notes :
o
o
3
10
10
10
10
10
T C , Case Temperature [ C]
-2
0
3. Single Pulse
1 2
V DS , Drain-Source Voltage [V]
3
0
25
50
75 100
o
125
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
P DM
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
* N o te s :
t 1
t 2
1 . Z θ J C ( t) = 3 .3
o
C /W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
10
-2
s in g le p u ls e
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF15N65 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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