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参数资料
| 型号： | FDPF17N60NT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 340 毫欧 @ 8.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FDPF17N60NT-ND FDPF17N60NTFS |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
2. T C = 25 C
200
100
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
100
6.5 V
6.0 V
150 C
-55 C
10
5.5 V
5.0 V
10
o
o
25 C
o
1
*Notes:
1. V DS = 20V
0.1
0.1
1
V DS , Drain-Source Voltage[V]
10
20
1
4
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7 8
V GS , Gate-Source Voltage[V]
9
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.6
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
200
100
0.5
150 C
25 C
0.4
V GS = 10V
10
o
o
0.3
V GS = 20V
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.2
0
10
20 30 40
I D , Drain Current [A]
o
50
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.8 1.2
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.4
Figure 5. Capacitance Characteristics
10000
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
1000
C iss
C oss
8
6
V DS = 120V
V DS = 300V
V DS = 480V
100
*Note:
1. V GS = 0V
4
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
C rss
2
Crss = Cgd
10
0.1 1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
*Note: I D = 17A
10 20 30 40
Q g , Total Gate Charge [nC]
50
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF17N60NT Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF18N20FT | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3 |
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参数描述 |
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