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参数资料
| 型号： | FDPF17N60NT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 340 毫欧 @ 8.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FDPF17N60NT-ND FDPF17N60NTFS |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.18
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
0.85
-75 -50
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
0 50 100 150
o
0.5
0.0
-75 -50
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 8.5A
0 50 100 150
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
200
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
20
100
10 μ s
10
100 μ s
1ms
10ms
15
1
Operation in This Area
DC
10
is Limited by R DS(on)
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.1
*Notes:
o
o
5
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
1
0.5
0.2
0.1
P DM
0.1
0.05
0.02
0.01
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 2.0 C/W Max.
0.01
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
0.003
-5
-4
-3
-2
-1
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
1 10
2
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF17N60NT Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF18N20FT | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3 |
| FDPF18N50T | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F |
| FDPF190N15A | MOSFET N-CH 150V 27.4A TO-220F |
| FDPF20N50FT | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F |
| FDPF20N50T | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF18N20F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 200V, 18A, 0.145ヘ |
| FDPF18N20FT | 功能描述:MOSFET UniFET 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF18N20FT_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 200V 18A TO220F |
| FDPF18N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF18N50T | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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