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参数资料
| 型号： | FDPF18N20FT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 41W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
50
V GS = 10.0V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
30
150 C
10
6.0 V
5.5 V
10
o
25 C
o
2. T C = 25 C
1
0.1
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6
7
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.25
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
25 C
o
0.20
o
0.15
V GS = 10V
V GS = 20V
10
*Notes:
*Note: T J = 25 C
0.10
0
10
20 30 40
o
50
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.8 1.2 1.6
2.0
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2000
1500
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
10
8
V DS = 40V
V DS = 100V
V DS = 160V
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
1000
C iss
500
C oss
4
2
0
0.1
C rss
1 10
30
0
0
*Note: I D = 18A
6 12 18
24
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP18N20F / FDPF18N20FT Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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