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参数资料
| 型号： | FDPF18N20FT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 41W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8-1. Maximum Safe Operating Area
- FDP18N20F
1.2
1.1
100
10
20 μ s
100 μ s
1ms
1.0
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10ms
DC
*Notes:
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
0.1
o
o
3. Single Pulse
T J , Junction Temperature [ C]
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0.8
-100
-50 0 50 100 o 150
200
0.01
1
10 100
600
Figure 8-2. Maximum Safe Operating Area
- FDPF18N20FT
100
10 μ s
100 μ s
Figure 9. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
20
16
10
1ms
12
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
10ms
DC
8
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
V DS , Drain-Source Voltage [V]
T C , Case Temperature [ C ]
0.1
0.01
1
o
o
3. Single Pulse
10 100
600
4
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 10-1. Transient Thermal Response Curve - FDP18N20F
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P DM
0.02
0.01
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 1.2 C/W Max.
0.01
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
10
Rectangular Pulse Duration [sec]
[sec]
10
10
-5
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
-4
-3 -2 -1 0
t 1 , Rectangular Pulse Duration
4
1
2
www.fairchildsemi.com
FDP18N20F / FDPF18N20FT Rev. C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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