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参数资料
| 型号： | FDPF2710T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42.5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 101nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
October 2013
FDPF2710T
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
250 V, 25 A, 42.5 m Ω
Fea tures
? R DS(on) = 36.3 m Ω ( Typ.)@ V GS = 10 V, I D = 25 A
? Fast Switching Speed
? Low Gate Charge
? High Performance Trench Technology for Extremely Low
R DS(on)
? High Power and Current Handling Capability
Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s advance PowerTrench ? process that has
been tailored to minimize the on-state resistance while maintain-
ing superior switching performance.
Applications
? Consumer Appliances
? Synchronous Rectification
? RoHS Compliant
D
D
G
S
TO-220F
G
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V DS
V GS
Drain-Source Voltage
Gate-Source voltage
Parameter
FDPF2710T
250
± 30
Unit
V
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25 ° C)
- Continuous (T C = 100 ° C)
25
18.8
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
100
A
E AS
dv/dt
Single Pulsed Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 2)
(Note 3)
145
4.5
mJ
V/ns
P D
Power Dissipation
(T C = 25 ° C)
- Derate above 25 ° C
62.5
0.5
W
W/ ° C
T J, T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
-55 to +150
300
° C
° C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.
FDPF2710T
2.0
62.5
Unit
° C/W
° C/W
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF2710T Rev. C 3
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF320N06L | MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F |
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| FDPF3N50NZ | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF320N06L | 功能描述:MOSFET 60V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDPF33N25T | 功能描述:MOSFET TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF33N25TRDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDPF33N25TYDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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