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参数资料
| 型号： | FDPF3860TYDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38.2 毫欧 @ 5.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
December 2013
FDPF3860T
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100 V, 20 A, 38.2 m Ω
Features
? R DS(on) = 29.1 m Ω (Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 5.9 A
? Fast Switching Speed
? Low Gate Charge
? High Performance Trench Technology for Extremely Low
R DS(on)
? High Power and Current Handling Capability
? RoHS Compliant
Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor ’s advanced PowerTrench ? process that has
been tailored to minimize the on-state resistance while main-
taining superior switching performance.
Applications
? Consumer Appliances
? LCD/LED/PDP TV
? Synchronous Rectification
? Uninterruptible Power Supply
? Micro Solar Inverter
D
D
G
S
TO-220F
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25 o C unless otherwise noted.
Symbol
V DSS
Drain to Source Voltage
Parameter
FDPF3860T
100
Unit
V
V GSS
I D
Gate to Source Voltage
Drain Current
- Continuous (T C = 25 o C)
- Continuous (T C = 100 o C)
±20
20
12.7
V
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
80
A
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
(T C = 25 o C)
- Derate Above 25 o C
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
278
20
3.4
15
33.8
0.27
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/ o C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering, 1/8” from Case for 5 Seconds
-55 to +150
300
o C
o C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.
FDPF3860T
3.7
62.5
Unit
o C/W
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF3860T Rev. C5
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF390N15A | MOSFET N-CH 150V 15A TO-220F |
| FDPF3N50NZ | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F |
| FDPF44N25T | MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F |
| FDPF51N25YDTU | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F |
| FDPF52N20T | MOSFET N-CH 200V 52A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF390N15A | 功能描述:MOSFET 150V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF39N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF3N50NZ | 功能描述:MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF44N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDPF44N25T | 功能描述:MOSFET 250V N-Chan MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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