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参数资料
| 型号： | FDPF3860TYDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38.2 毫欧 @ 5.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.0
-100
2. I D = 5.9A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
100
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
25
10
100 μ s
1ms
20
15
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10ms
100ms
DC
10
SINGLE PULSE
T C = 25 C
T J = 150 C
R θ JC = 3.7 C/W
0.1
o
o
o
5
T C , Case Temperature [ C]
0.01
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
5
0.5
1
0.2
0.1
P DM
0.1
0.05
0.02
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 3.7 C/W Max.
0.01
Single pulse
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4
-3
-2
-1
0
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
1 2
3
,
t 1 Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF3860T Rev. C5
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF390N15A | MOSFET N-CH 150V 15A TO-220F |
| FDPF3N50NZ | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF390N15A | 功能描述:MOSFET 150V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF39N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF3N50NZ | 功能描述:MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF44N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDPF44N25T | 功能描述:MOSFET 250V N-Chan MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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