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参数资料
| 型号： | FDPF3860TYDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38.2 毫欧 @ 5.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
-55 C
200
100
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
200
100
o
o
25 C
10
10
o
2. T C = 25 C
1
0.1
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7
8
150 C
25 C
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.14
0.12
0.10
0.08
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
200
100
o
o
10
0.06
V GS = 10V
*Note: T J = 25 C
0.04
0.02
0
V GS = 20V
25 50 75
o
100
1
0.0
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.8 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
10
1500
C iss
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
V DS = 80V
V DS = 50V
V DS = 25V
*Note:
6
1000
500
C oss
C rss
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
2
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
5
*Note: I D = 5.9A
10 15 20
Q g , Total Gate Charge [nC]
25
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF3860T Rev. C5
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF390N15A | MOSFET N-CH 150V 15A TO-220F |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDPF3N50NZ | 功能描述:MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDPF44N25T | 功能描述:MOSFET 250V N-Chan MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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