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参数资料
| 型号： | FDPF2710T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42.5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 101nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.5
2
1.0
1
-50 0 50 100 150 200
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C]
0.9
0.8
-100
* Notes :
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
o
0
-100
* Notes :
1. V GS = 10V
2. I D = 25A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
200
100
100 μ s
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
30
10
1ms
20
is Limited by R DS(on)
SINGLE PULSE
T J = 150 C
R θ JC = 2.0 C/W
50 75 100 125
T C , Case Temperature [ C ]
1
0.1
0.01
0.1
Operation in This Area 10ms
100ms
o DC
T C = 25 C
o
o
1 10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
300
10
0
25
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
0
0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
P DM
t 1
t 2
0.01
10
10
10
10
1. Z θ JC (t) = 2.0 C/W Max.
10
10
10
10
10
-2
Single pulse
-3
-5 -4
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF2710T Rev. C 3
* Notes :
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-3 -2 -1 0 1
Rectangular Pulse Duration [sec]
4
10
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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