- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375780 > FDPF33N25 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 250V N-Channel MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDPF33N25 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 33 A, 250 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 799K |
| 代理商： | FDPF33N25 |
7
www.fairchildsemi.com
FDPF33N25 Rev A
F
Mechanical Dimensions
(7.00)
(0.70)
MAX1.47
(30
°
)
#1
3
±
0
1
±
0
1
±
0
6
±
0
9
±
0
4
±
0
10.16
±
0.20
(1.00x45
°
)
2.54
±
0.20
0.80
±
0.10
9.40
±
0.20
2.76
±
0.20
0.35
±
0.10
3.18
±
0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
0.50
+0.10
–0.05
TO-220F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF39N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FDPF44N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDPF44N25T | 250V N-Channel MOSFET |
| FDPF51N25 | FDPF51N25 |
| FDQ7238AS_NF40 | Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench in SO-14 Package |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF33N25T | 功能描述:MOSFET TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF33N25TRDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDPF33N25TYDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDPF3860T | 功能描述:MOSFET 100V 20A 38.2mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF3860TYDTU | 功能描述:MOSFET Trans N-Ch 100V 20A Rail RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。