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参数资料
| 型号： | FDPF680N10T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 24W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
60
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
60
o
25 C
-55 C
5.5 V
10
o
o
1
2. T C = 25 C
0.1
0.01
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
0.1 1
10
1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7
8
150 C
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.20
0.15
200
100
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
o
25 C
0.10
0.05
V GS = 10V
V GS = 20V
10
1
o
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0
0
10
20 30 40 50
o
60
0.1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0
1.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
5000
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
10
1000
C iss
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
V DS = 25V
V DS = 50V
V DS = 80V
C oss
6
100
C rss
*Note:
1. V GS = 0V
4
2
10
0.01
2. f = 1MHz
0.1 1 10
50
0
0
3
*Note: I D = 12A
6 9 12
15
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF680N10T Rev. C5
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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