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参数资料
| 型号： | FDPF680N10T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 24W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
2.5
2.0
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
1.5
1.0
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.0
-100
2. I D = 6A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
100
14
12
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
100 μ s
10
T C = 25 C
T J = 150 C
1
0.1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
SINGLE PULSE
o
o
1ms
10ms
100ms
DC
8
6
4
2
R θ JC = 5.2 C/W
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
0.1
o
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
0.5
1
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 5.2 C/W Max.
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4
-3
-2
-1
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
1 10
2
1 ,
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF680N10T Rev. C5
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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