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参数资料
| 型号： | FDPF6N60ZUT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2.25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 865pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
20
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
20
10
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
6.5 V
6.0 V
5.5 V
150 C
1
1
o
25 C
2. T C = 25 C
o
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
0.1
0.1
1 10
20
0.1
2
4 6
8
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.7
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
200
100
2.4
150 C
25 C
2.1
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
1.8
*Notes:
*Note: T C = 25 C
1.5
0
3
6
9
o
12
1
0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
1 2
3
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
1500
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
10
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
V DS = 150V
V DS = 300V
1000
C oss
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
V DS = 480V
C iss
4
500
2
C rss
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
*Note: I D = 4.5A
5 10
Q g , Total Gate Charge [nC]
15
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF6N60ZUT Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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