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参数资料
| 型号： | FDR836P |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified MOSFET |
| 中文描述： | 6100 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SUPERSOT-8 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | FDR836P |
F
FDR836P, Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0
0.0001
10
20
30
40
50
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=135
o
C/W
T
A
=25
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = 135
°
C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
r
0
1000
2000
3000
4000
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -6.1A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
10s
1s
100
μ
s
100ms
10ms
1ms
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
o
C/W
TA = 25
o
C
R
DS(ON)
LIMIT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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