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参数资料
| 型号： | FDS2070N7 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 4.1 A, 150 V, 0.078 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | FLMP, SO-8 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | FDS2070N7 |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS2070N3 | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2170N3 | 200V N-Channel PowerTrench剖 MOSFET |
| FDS2170N7 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2570 | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2572 | 150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDS2170N3 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2170N7 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS222-TB | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:3/4,2G-DEEP BX,IRON, DBL-HUB, D-END 制造商:Thomas & Betts 功能描述:Fittings Gang Box 0.75inch Female Iron |
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