型号: | FDS2582 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
中文描述: | 4.1 A, 150 V, 0.066 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | SO-8 |
文件页数: | 3/11页 |
文件大小: | 283K |
代理商: | FDS2582 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
FDS2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDS2672 | N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 3.9A, 70mз |
FDS2734 | N-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mohm |
FDS3170N7 | 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDS3512 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
FDS2582 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
FDS2582_Q | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDS2670 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDS2670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
FDS2670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel PowerTrench MOSFET |