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参数资料
| 型号： | FDS5690 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1107pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS5690DKR |
Typical Characteristics
10
I D = 7A
(continued)
1600
f = 1MHz
V DS = 10V
20V
V GS = 0 V
8
30V
1200
C ISS
6
800
4
400
2
C OSS
C RSS
0
0
0
5
10
15
20
25
0
10
20
30
40
50
60
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
R θ JA =125 C/W
T A =25 C
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
1ms
40
o
o
10ms
100ms
30
1
1s
R θ JA = 125 C/W
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
o
DC
10s
20
10
T A = 25 C
o
0.01
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 125 ° C/W
P(pk)
0.02
0.01
0.02
0.01
Single Pulse
t 1
t 2
0.005
0.002
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDS5690 Rev. C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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