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参数资料
| 型号： | FDS6298 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1108pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6298DKR |
Typical Characteristics
10
1500
8
I D = 13A
V DS = 10V
15V
1200
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
20V
6
4
900
600
C OSS
2
0
300
0
C RSS
0
4
8
12
16
20
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100μs
100ms
T A = 25 C
1
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
o
1s
10s
DC
10
125
25
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t AV , TIME IN AVALANCHE (mS)
Figure 10. Unclamped Inductive Switching
Capability
50
SINGLE PULSE
40
30
20
10
0
R θ JA = 125°C/W
T A = 25°C
0.001
0.01
0.1
t1, TIME (sec)
1
10
100
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation.
FDS6298 Rev. C1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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