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参数资料
| 型号： | FDS6673BZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 毫欧 @ 14.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 124nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6673BZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
80
70
60
50
40
30
20
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -10V
V GS = -5V
V GS = -4.5V
V GS = -3.5V
V GS = -4V
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = -3.5V
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -4V
V GS = -4.5V
V GS = -5V
10
0
0
1 2 3
V GS = -3V
4
1.0
0.8
0.6
10
20
V GS = -10V
30 40 50 60 70
80
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.5
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
25
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I D = -14.5A
V GS = -10V
20
15
10
5
I D = -7A PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.7
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
0
2
4 6 8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C )
o
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction
Temperature
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
80
60
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = -6V
T J = 150 o C
100
10
V GS = 0V
T J = 150 o C
1
40
20
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.1
0.01
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
1E-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward
Voltage vs Source Current
FDS6673BZ Rev. B 2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6675BZ | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
| FDS6675 | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6673BZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V 14.5mA 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -30V, 14.5mA |
| FDS6673BZ_F085 | 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6673BZ_G | 制造商:Fairchild 功能描述:-30V P-Channel PowerTrench? MOSFET |
| FDS6675 | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6675 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
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