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参数资料
| 型号： | FDS6984AS_NL |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET |
| 中文描述： | 5500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | LEAD FREE, SO-8 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | FDS6984AS_NL |
FDS6984AS Rev A (X)
Typical Characteristics: Q2
0
2
4
6
8
10
0
2
4
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
6
8
10
12
V
G
,
I
D
=8.5A
V
DS
= 10V
15V
20V
0
200
400
600
800
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
10
100
V
DS
, D1
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6984AS | Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET |
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| FDS6986S | Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET⑩ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6984S | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6984S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
| FDS6984S_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6984SQ1 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET⑩ |
| FDS6986 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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