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参数资料
| 型号： | FDS7064N7 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 16.5 A, 30 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | BOTTOMLESS, SO-8 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | FDS7064N7 |
FDS7064SN3 Rev C1 (W)
Typical Characteristics
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
60.00
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
3.0V
3.5V
2.5V
2.0V
V
GS
=10.0
V
6.0V
4.5V
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
0
10
20
30
40
50
60
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 2.5V
3.5V
3.0V
4.0V
4.5V
6.0V
10.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 16A
V
GS
= 10V
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
=8A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
60
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDS7066N7 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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